Расписание занятий и сессии б-ЭЛНЭз41

На главную Расписание сессии
Нечётная
Пара
1
8:00 — 9:30
 
2
9:45 — 11:15
 
3
11:30 — 13:00
 
4
13:40 — 15:10
 
5
15:20 — 16:50
 
6
17:00 — 18:30
 
7
18:40 — 20:10
 
8
20:20 — 21:50
 
Пн
15.01
1
8:00 — 9:30
 
2
9:45 — 11:15
 
3
11:30 — 13:00
 
4
13:40 — 15:10
2/403
Методы нелинейной динамики
(прак)
5
15:20 — 16:50
2/403
Методы нелинейной динамики
(прак)
6
17:00 — 18:30
2/403
Автоматизация проектирования электронных устройств
(лаб)
7
18:40 — 20:10
 
8
20:20 — 21:50
 
Вт
16.01
1
8:00 — 9:30
2/415
Технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники
(лек)
2
9:45 — 11:15
2/415
Технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники
(лаб)
3
11:30 — 13:00
2/408
Импульсные и цифровые устройства
(лаб)
4
13:40 — 15:10
 
5
15:20 — 16:50
 
6
17:00 — 18:30
 
7
18:40 — 20:10
 
8
20:20 — 21:50
 
Ср
17.01
1
8:00 — 9:30
2/401
Физические основы криогенной электроники
(лаб)
2
9:45 — 11:15
2/403
Автоматизация проектирования электронных устройств
(лаб)
3
11:30 — 13:00
2/409
Физические основы электроники
(лаб)
4
13:40 — 15:10
2/409
Физические основы электроники
(лаб)
5
15:20 — 16:50
2/401
Физические основы электроники
(лек)
6
17:00 — 18:30
2/401
Физические основы электроники
(лек)
7
18:40 — 20:10
 
8
20:20 — 21:50
 
Чт
18.01
1
8:00 — 9:30
 
2
9:45 — 11:15
2/407
Импульсные и цифровые устройства
(лаб)
3
11:30 — 13:00
2/415
Технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники
(лаб)
4
13:40 — 15:10
2/409
Физические основы криогенной электроники
(лек)
5
15:20 — 16:50
2/403
Автоматизация проектирования электронных устройств
(зач)
6
17:00 — 18:30
 
7
18:40 — 20:10
 
8
20:20 — 21:50
 
Пт
19.01
1
8:00 — 9:30
 
2
9:45 — 11:15
 
3
11:30 — 13:00
 
4
13:40 — 15:10
2/409
Физические основы криогенной электроники
(лек)
5
15:20 — 16:50
2/401
Физические основы криогенной электроники
(лаб)
6
17:00 — 18:30
2/408
Импульсные и цифровые устройства
(лаб)
7
18:40 — 20:10
2/403
Методы нелинейной динамики
(экз)
8
20:20 — 21:50
2/403
Методы нелинейной динамики
(экз)
Сб
20.01
1
8:00 — 9:30
 
2
9:45 — 11:15
2/408
Импульсные и цифровые устройства
(зач)
3
11:30 — 13:00
 
4
13:40 — 15:10
 
5
15:20 — 16:50
 
6
17:00 — 18:30
 
7
18:40 — 20:10
 
8
20:20 — 21:50
 
Чётная
Пара
1
8:00 — 9:30
 
2
9:45 — 11:15
 
3
11:30 — 13:00
 
4
13:40 — 15:10
 
5
15:20 — 16:50
 
Пн
22.01
1
8:00 — 9:30
 
2
9:45 — 11:15
 
3
11:30 — 13:00
2/415
Технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники
(лаб)
4
13:40 — 15:10
2/401
Физические основы криогенной электроники
(лаб)
5
15:20 — 16:50
2/401
Физические основы криогенной электроники
(лаб)
Вт
23.01
1
8:00 — 9:30
 
2
9:45 — 11:15
 
3
11:30 — 13:00
2/409
Физические основы электроники
(лаб)
4
13:40 — 15:10
2/415
Технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники
(лек)
5
15:20 — 16:50
2/415
Технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники
(лаб)
Ср
24.01
1
8:00 — 9:30
 
2
9:45 — 11:15
2/415
Технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники
(лаб)
3
11:30 — 13:00
2/409
Физические основы электроники
(лаб)
4
13:40 — 15:10
2/409
Физические основы электроники
(лаб)
5
15:20 — 16:50
2/401
Физические основы криогенной электроники
(лаб)
Чт
25.01
1
8:00 — 9:30
 
2
9:45 — 11:15
 
3
11:30 — 13:00
 
4
13:40 — 15:10
2/409
Физические основы электроники
(экз)
5
15:20 — 16:50
2/409
Физические основы электроники
(экз)
Пт
26.01
1
8:00 — 9:30
 
2
9:45 — 11:15
2/415
Технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники
(лаб)
3
11:30 — 13:00
2/415
Технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники
(лек)
4
13:40 — 15:10
2/401
Физические основы криогенной электроники
(зач)
5
15:20 — 16:50
 
Сб
27.01
1
8:00 — 9:30
 
2
9:45 — 11:15
 
3
11:30 — 13:00
 
4
13:40 — 15:10
2/409
Технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники
(экз)
5
15:20 — 16:50
2/409
Технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники
(экз)